隨著夏天的到來(lái)，手機(jī)的散熱再次回到人們的討論重心，為了讓手機(jī)處理器的性能發(fā)揮到極致，必然會(huì)引起手機(jī)散熱問題。像手機(jī)卡頓、掉幀、屏幕亮度降低等問題都是由手機(jī)過熱引起的，然而，在市場(chǎng)上有著這幾款手機(jī)，對(duì)散熱解決的十分優(yōu)秀，讓我們一起看看吧。
一加Ace
一加Ace
一加Ace搭載訂制天璣8100-MAX處理器，配備5000萬(wàn)像素索尼IMX766主攝，配備超晶石墨散熱，內(nèi)置游戲獨(dú)顯芯片，支持150W有線快充。
作為一加的“性能王牌”，一加Ace既有硬核的硬件，也有快、穩(wěn)、狠的使用體驗(yàn)。不僅是獨(dú)家定制天璣8100-MAX芯片，還有HyperBoost游戲穩(wěn)幀引擎，全球首發(fā)的超晶石墨散熱等黑科技，為一加 Ace性能王牌的地位打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
我們首先來(lái)看看這枚獨(dú)家定制的天璣8100-MAX芯片，以臺(tái)積電5nm工藝打造，CPU 能效比上一代提高了25%。它采用了八核CPU架構(gòu)，GPU為Arm Mali-G610 MC6，能為玩家在手游大作中提供流暢、高幀率的游戲體驗(yàn)，并獲得更長(zhǎng)的電池續(xù)航。
為了讓該芯片更好地發(fā)揮其性能，一加Ace在散熱方面配備了超晶石墨散熱，這款超晶石墨散熱相比一般的石墨晶體顆粒更大，散熱性能提升了近60%。
在超強(qiáng)的石墨工藝散熱技術(shù)的基礎(chǔ)上，超大面積液冷VC+高導(dǎo)熱壓鑄鋁中框+大面積石墨片組合成了一加 Ace對(duì)抗熊熊熱浪的有力武器。而且VC散熱面積高達(dá)4129.8mm2，總散熱面積高達(dá) 35198.2mm2，是一加史上最大的。更高的散熱效率，在高負(fù)載時(shí)讓手機(jī)升溫的更慢。
與此同時(shí)，一加還提供18W冰點(diǎn)散熱背夾供消費(fèi)者選購(gòu)，該散熱背夾除了是在售所有散熱背夾里功率最大的，還擁有三檔強(qiáng)度可以調(diào)節(jié)。智能的霍爾開關(guān)在背夾張開時(shí)將自動(dòng)運(yùn)行，無(wú)需手動(dòng)操控，十分便捷。一加 Ace的平直背面設(shè)計(jì)，能很好的與一加 18W 冰點(diǎn)散熱背夾充分接觸，實(shí)現(xiàn)極速降溫。
性能、散熱都得到了保障，一加Ace在信號(hào)方面也做得很好，配備全新的電競(jìng)9天線設(shè)計(jì)，手機(jī)怎么握在手里都不會(huì)遮擋信號(hào)。
定制芯片、定制屏幕、獨(dú)顯芯片、針對(duì)性優(yōu)化、鋪開比臉還大的散熱面積等，一加Ace不愧是一加的性能王牌。
vivo X80
vivo第二代雙芯旗艦vivo X80，搭載自研芯片V1+與超百萬(wàn)跑分4nm旗艦芯片，雖然vivo X80不是系列手機(jī)里的最高配，但X80帶給我們的驚喜，不止是中杯旗艦，在散熱這方面，它同樣做得很好。
vivo X80
vivo X80搭載了天璣9000 5G移動(dòng)平臺(tái)，天璣9000不僅是首枚基于臺(tái)積電4nm的制程工藝打造的天璣芯片，也是目前天璣平臺(tái)綜合性能最強(qiáng)的芯片。
天璣9000的CPU部分為8個(gè)核心設(shè)計(jì)，分別由1個(gè)3.05GHz Arm Cortex-X2超大核、3個(gè)2.85GHz Arm Cortex-A710中核與4個(gè)1.8GHz的Arm Cortex-A510能效小核組成，并配備了PC級(jí)的14MB大容量緩存。十核心的Mali-G710相比上代的Mali-G78性能提升30%，而功耗卻降低了35%。
同時(shí)，vivo X80搭載的V1+自研芯片也十分亮眼，與天璣9000芯片共同協(xié)作，讓vivo X80搖身變成了摩拳擦掌的電競(jìng)猛獸。
4285mm2超大面積的VC液冷散熱，是vivo X80的散熱大幫手，總面積遠(yuǎn)超普通旗艦的2000mm2，也比游戲手機(jī)多了近1200mm2。vivo X80高達(dá)10000的整體導(dǎo)熱系數(shù)遠(yuǎn)超金剛石的2000和普通石墨的1000，是超薄環(huán)境下散熱的好選擇。
在手機(jī)續(xù)航方面，X80擁有媲美大杯旗艦的80W雙電芯閃充方案，相比傳統(tǒng)的單電芯發(fā)熱量更低，峰值充電速度更持久。
在屏幕方面，vivo X80搭載了一塊6.78英寸素質(zhì)頂級(jí)的E5材質(zhì)屏幕，鉆石排列， 120Hz的超高刷新率和100%P3廣色域，無(wú)論時(shí)觀影還是游戲體驗(yàn)，都能生動(dòng)顯示。并且1500nits局部峰值亮度，在強(qiáng)光直射時(shí)也能看清屏幕的內(nèi)容。
除此之外，X80還配備大體積X軸線性馬達(dá)，當(dāng)vivo X80的大體積X軸線性馬達(dá)工作時(shí)，在輸入法里與IQUNIX機(jī)械鍵盤的主題，可以模擬三種不同的機(jī)械軸，振感明顯。且與上一代相比，vivo X80的X軸線性馬達(dá)提升了93%，這大大縮短了啟停時(shí)間，降低了振動(dòng)頻率，讓手感更清脆有力。
真我GT Neo3
realme GT Neo3
潮玩電競(jìng)旗艦realme真我 GT Neo3搭載聯(lián)發(fā)科天璣8100處理器，主攝采用索尼IMX766傳感器，支持光學(xué)防抖，屏幕支持120Hz高刷新率，支持80W有線快充。擁有當(dāng)時(shí)最強(qiáng)充電速度的真我GT Neo3在散熱方面也有著獨(dú)家門道。
2022年“電競(jìng)神U”的天璣8100 5G處理器，采用臺(tái)積電5nm制程工藝打造，配備4顆2.85Ghz A78高性能核心與4顆2.0Ghz A55高能效核心。
根據(jù)官方介紹，在同等表現(xiàn)下CPU相比驍龍888多核性能提升12%、多核能效提升44%。而GPU方面，采用的是Mali- G610 MC6，對(duì)比驍龍888性能提升4%、能效提升35%。
再來(lái)看“世一快”的150W光速秒充，realme按照充電需求，定制了專屬的閃充芯片，提升電池充電轉(zhuǎn)化率，能夠?qū)崿F(xiàn)從源頭降低充電過程中的能量損耗。真我GT Neo3在150W高功率持續(xù)輸出的同時(shí)，還保證了電池健康與散熱。
全新的大功率充電架構(gòu)與高轉(zhuǎn)化率電荷泵。與常見的充電架構(gòu)不同，真我GT Neo3采用了全新的4:2大功率充電架構(gòu)。
電荷泵作為一個(gè)模擬器件，可以把它理解為一個(gè)開關(guān)，經(jīng)過它的電流提升一倍，電壓降一半，這樣一來(lái)在150W大功率充電過程中，這兩顆轉(zhuǎn)化效率高達(dá)98.5%的定制電荷泵，就能夠?qū)陕犯唠妷弘娏鬓D(zhuǎn)化為兩路低電壓電流，最終會(huì)匯流成大電流輸入電池。
新的構(gòu)架與該轉(zhuǎn)化率的電荷泵，都是為了在高功率充電過程中，能夠減少熱量積累同時(shí)不降低充電效率。
支持Battery Sense電芯電壓檢測(cè)技術(shù)。真我GT Neo3采用了Battery Sense電芯電壓監(jiān)測(cè)技術(shù)，能夠準(zhǔn)確監(jiān)測(cè)手機(jī)情況，靈活快速地匹配相應(yīng)的充電策略，有效避免了因電池保護(hù)電路帶來(lái)的誤差。
值得一提的是，真我GT Neo3還通過了德國(guó)萊茵安全快充認(rèn)證、擁有38重安全防護(hù)、搭載獨(dú)立充電控制芯片、支持異常一鍵斷電、采用雙FPC連接、采用防反灌電路設(shè)計(jì)、采用銠釕合金充電口等等，為這次的150W“光速秒充”保駕護(hù)航。
此外，在手機(jī)影像方面，真我GT Neo3雖然是定位“潮玩電競(jìng)旗艦”，但它的影像系統(tǒng)也同樣強(qiáng)大，5000萬(wàn)像素主攝、800萬(wàn)像素超廣角鏡頭于200萬(wàn)像素微距鏡頭，組成后置三鏡頭。其中，攝搭載了與影像旗艦真我GT大師探索版同款索尼IMX766傳感器，擁有1/1.56大底，配備了OIS光學(xué)防抖。
真我GT Neo3繼承了前代的外觀設(shè)計(jì)，手機(jī)背蓋以紫色為主元素，同時(shí)加入了賽道雙條紋元素，讓手機(jī)在視覺上充滿強(qiáng)烈的速度感。設(shè)計(jì)感滿滿的外觀與干貨滿滿的配置，真我GT Neo3可謂是一臺(tái)設(shè)計(jì)與性能兼?zhèn)涞钠炫炇謾C(jī)。
總結(jié)
看完上面三款手機(jī)，你有什么想說的，來(lái)評(píng)論區(qū)一起討論吧！
