今日三星半導(dǎo)體宣布，其第九代 V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，比三星上一代產(chǎn)品提高約50%的位密度（bit density），通過(guò)通道孔蝕刻技術(shù)（channel hole etching）提高生產(chǎn)效率。

　　第九代V-NAND閃存憑借其超小的單元尺寸和極致的疊層厚度，實(shí)現(xiàn)了比上一代產(chǎn)品高約50%的位密度。新技術(shù)的運(yùn)用，如單元干擾避免和單元壽命延長(zhǎng)，不僅提升了產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，而且通過(guò)消除虛通道孔顯著減少了存儲(chǔ)單元的平面面積。

　　第九代 V-NAND 配備了下一代NAND閃存接口“Toggle 5.1”，可將數(shù)據(jù)輸入 / 輸出速度提高33%，最高可達(dá)每秒3.2千兆位（Gbps）。除了這個(gè)新接口，三星還計(jì)劃通過(guò)擴(kuò)大對(duì)PCIe 5.0的支持來(lái)鞏固其在高性能固態(tài)硬盤市場(chǎng)的地位。與上一代產(chǎn)品相比，基于三星在低功耗設(shè)計(jì)方面取得的進(jìn)步，第九代V-NAND的功耗也降低了10%。